Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .
Ref: 2SC-3320
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Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta potencia
- Voltaje de colector a base hasta 500 V
- Corriente máxima de 15 A
- Capacidad de disipación hasta 80 Watt
- Empaque TO-3PN para alta confiabilidad
Aplicaciones
- Reguladores de Switcheo
- Generadores Ultrasónicos
- Inversores de Alta Frecuencia
- Amplificadores de Potencia de Uso General
Características Eléctricas
- VCBO: 500 V (Colector-Base)
- VCEO: 400 V (Colector-Emisor)
- VEBO: 7 V (Emisor-Base)
- IC: 15 A (Corriente de Colector)
- PC: 80 W (Disipación de Potencia)
Especificaciones Técnicas
- Tensión de ruptura V(BR)CEO: 400 V
- Tensión de ruptura V(BR)CBO: 500 V
- VCEsat: 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
- VBEsat: 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
- Corriente de fuga ICBO: 1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Características Térmicas
- Rth(j-c): 1.56 °C/W (Resistencia térmica)
- Tj: 150 °C (Temperatura de unión)
- Tstg: -65~150 °C (Almacenamiento)
Conexiones (TO-3PN)
- Pin 1: Base
- Pin 2: Colector (conectado a base de montaje)
- Pin 3: Emisor
Tiempo de Conmutación
- ton: 0.5 µs
- ts: 1.5 µs (IB2=-3A, RL=20Ω)
- tf: 0.15 µs
