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Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia.
| 1 | Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente |
|---|---|
| 2 | Frecuencia de operación hasta 27 MHz |
| 3 | Soporta voltaje máximo de 12 Vcc |
| 4 | Potencia de salida de 13 watts |
| 5 | Reemplazo directo para modelo 2SC1945 |
| 6 | Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada |
