Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
Características Principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio
- Frecuencia máxima de operación 30 MHz
- Tensión de colector 13.5 Vcc
- Potencia máxima de salida 70 Watt
- Encapsulado formato T-40E
Especificaciones
1
Transistor NPN epitaxial de silicio
2
Frecuencia máxima 30 MHz operación
3
Tensión colector 13.5 Vcc estable
4
Potencia salida 70 Watt alta eficiencia
5
Encapsulado T-40E resistente industrial
6
Ideal amplificación RF potencia