Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Ref: MRF475
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Características Principales
- Transistor NPN de potencia RF de silicio
- Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
- Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
- Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
- Potencia de salida máxima de 10 Watt
Máximos Ratings
- IC: 4.0 A
- VCE: 18 V
- VCB: 48 V
- PD: 10 W @ TC = 25 °C
- TSTG: -65 °C to +150 °C
- TJ: -65 °C to +150 °C
- θJ-C: 12.5 °C/W
Características Eléctricas
- BVCEO: 18 V @ IC = 20 mA
- BVCES: 48 V @ IC = 50 mA
- BVEBO: 4.0 V @ IE = 5.0 mA
- ICBO: 1.0 mA @ VCB = 25 V
- hFE: 30-60 @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA
- Cob: 125-145 pF @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
- GP: 10-12 dB
- η: 40% @ Pout = 12 W (PEP), VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA
- IMD: -30 dB
Configuración Física
- Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
- Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR
