Especificaciones
1
Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
2
Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
3
Potencia de salida máxima de 100 vatios
4
Voltaje de colector de 12.5 VCC
5
Diseño robusto para alta eficiencia energética
6
Impedancia entrada 1.5 - j0.9 y carga 0.5 - j1.0