Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
Características Principales
- Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
- Potencia de salida: 70 Watts
- Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
- Ganancia: 11.5 dB
- Eficiencia: 60%
- Tecnología: MOSFET de canal N lateral
- Capacidad para manejar VSWR de 20:1
- Paquete plástico capaz de 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
Aplicaciones
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
Características de Diseño
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie
- Disponibilidad de información del amplificador de demostración
- Paquete plástico TO-272-8
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
Frecuencias de Operación
- 135-175 MHz
- 400-470 MHz
- 450-520 MHz
Configuración del Amplificador
- Amplificador de fuente común
- Polarización de compuerta y drenaje
- Redes de entrada/salida con microstrip
- Componentes pasivos de RF
Condiciones de Prueba
- VDD = 12.5 Vdc
- IDQ = 800 mA
- Frecuencia de prueba: 470 MHz
- Pout = 70 W
- Pin = 36-38 dBm
Componentes de Prueba
- Condensadores de chip de 100 mil
- Inductores de 1 a 2 vueltas
- Resistencias de chip (1206)
- Beads de ferrita
- Microstrip de diferentes dimensiones
- Condensadores electrolíticos
Condiciones Ambientales
- Temperatura de prueba: 25°C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
- Temperatura de operación: Hasta 200 °C
Especificaciones
1
Tecnología MOSFET de canal N lateral
2
Potencia de salida 70 W a 470 MHz
3
Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
4
Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
5
Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
6
Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz