Especificaciones
1
Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
2
Canal N para control preciso del flujo eléctrico
3
Frecuencia máxima de operación de 105 MHz
4
Encapsulado TO-18 compacto y resistente
5
Alto aislamiento con tecnología avanzada de interfaz
6
Diseño optimizado para aplicaciones de alta frecuencia