Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc
Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc
El Transistor MRF1518T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM Moviles de 12.5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,12.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 15.5Vcc 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
Especificaciones
1
Transistor FET de canal N de 8 W
2
Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
3
Alta ganancia de potencia de 11 dB
4
Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
5
Estabilidad térmica superior para operación continua
6
Diseño SMD en envase plástico RF