Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
- Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
- Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
Especificaciones
1
Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
2
Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz
3
Potencia máxima de 12.5 Watts
4
Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC
5
Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
6
Diseñado para alta eficiencia en RF