Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
Características principales
- Potencia de salida de hasta 84W típicamente
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
Especificaciones eléctricas
- Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
- Tensión puerta-fuente: -5/+10V
- Disipación del canal: 300W
- Corriente de drenaje: 20A (máx.)
- Temperatura de canal: 175°C
- Resistencia térmica: 0.5°C/W
Desempeño RF
- Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
- Eficiencia: 74% típico a 175MHz
- Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
- Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
- Eficiencia: 64% típico a 530MHz
- Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz
Evaluación y prueba
- Evaluación en placa de prueba VHF
- Impedancia característica: 50Ω
- Material del sustrato: Epoxi de vidrio
- Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz
- Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz
- Documentación: AN-VHF-049
Componentes asociados
- Capacitores cerámicos de alta Q
- Bobinas de precisión
- Resistencias de chip SMD
- Capacitores electrolíticos de 220μF
Especificaciones
1
Potencia de salida de hasta 84 W
2
Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
3
Diodo integrado de protección para la puerta
4
Diseño para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
5
Frecuencia de operación VHF: 135-175 MHz
6
Frecuencia de operación UHF: 450-530 MHz